Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 116 A 80 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

24 336,00 kr

(exkl. moms)

30 420,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +8,112 kr24 336,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
239-5386
Tillv. art.nr:
SiR582DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

116A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Kapseltyp

PowerPAK SO-8

Serie

SiR

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.0034Ω

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

33.5nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

±20 V

Maximal effektförlust Pd

92.5W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Bredd

5.15 mm

Längd

6.15mm

The Vishay TrenchFET N channel power MOSFET has drain current of 116 A. It is used in synchronous rectification, primary side switch, DC/DC converter and motor drive switch.

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Relaterade länkar