Vishay N Kanal, MOSFET, 116 A 80 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR
- RS-artikelnummer:
- 239-5387
- Tillv. art.nr:
- SiR582DP-T1-RE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
148,51 kr
(exkl. moms)
185,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 270 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 29,702 kr | 148,51 kr |
| 50 - 120 | 27,91 kr | 139,55 kr |
| 125 - 245 | 25,312 kr | 126,56 kr |
| 250 - 495 | 23,744 kr | 118,72 kr |
| 500 + | 22,31 kr | 111,55 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 239-5387
- Tillv. art.nr:
- SiR582DP-T1-RE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 116A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | PowerPAK SO-8 | |
| Serie | SiR | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0034Ω | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 33.5nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 92.5W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.15mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 5.15mm | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 116A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp PowerPAK SO-8 | ||
Serie SiR | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0034Ω | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 33.5nC | ||
Maximal effektförlust Pd 92.5W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.15mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 5.15mm | ||
Vishays TrenchFET N-kanals effekt-MOSFET har en dräneringsström på 116 A. Den används i synkron likriktare, primärsidoswitch, DC/DC-omvandlare och motordrivaromkopplare.
Mycket låg RDS x Qg meritfaktor (FOM)
Stämd för lägsta RDS x Qoss FOM
100 % Rg och UIS-testad
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 116 A 80 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 80 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 78.4 A 80 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 52.1 A 60 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 33.8 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 26.8 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 128 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiRA
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 73 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR