Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS®

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

2 259,00 kr

(exkl. moms)

2 823,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +0,753 kr2 259,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
236-4397
Tillv. art.nr:
BSS126IXTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

21mA

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

SOT-23

Serie

SIPMOS®

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

700Ω

Kanalläge

Avskrivningar

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

1.4nC

Maximal effektförlust Pd

0.5W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

3mm

Höjd

1.1mm

Bredd

1.4 mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 600V N-channel small signal depletion-mode MOSFET is Pb-free lead plating, RoHS compliant and halogen-free according to IEC61249-2-21. Fully qualified according to JEDEC for industrial applications. It has Industry standard qualification level.

High system reliability

Environmentally friendly

PCB space and cost saving

dv/dt rated

Relaterade länkar