STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK, STB37N60

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

117,49 kr

(exkl. moms)

146,86 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 900 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 9117,49 kr
10 - 99111,66 kr
100 - 249105,95 kr
250 - 499100,69 kr
500 +95,65 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
233-3041
Tillv. art.nr:
STH12N120K5-2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Serie

STB37N60

Kapseltyp

H2PAK

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

690mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

44.2nC

Maximal effektförlust Pd

250W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30 V

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

10.4mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

15.8 mm

Höjd

4.8mm

Fordonsstandard

Nej

The STMicroelectronics very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

Worldwide best FOM (figure of merit)

Ultra-low gate charge

100% avalanche tested

Zener-protected

Relaterade länkar