Infineon Dual N IPG 2 Type N-Channel Power Transistor, 20 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO IPG20N04S412AATMA1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 15 enheter)*

136,125 kr

(exkl. moms)

170,16 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 9 705 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
15 - 609,075 kr136,13 kr
75 - 1358,631 kr129,47 kr
150 - 3608,258 kr123,87 kr
375 - 7357,892 kr118,38 kr
750 +7,347 kr110,21 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
229-1843
Tillv. art.nr:
IPG20N04S412AATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

Power Transistor

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

IPG

Package Type

SuperSO

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

12.19mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14nC

Maximum Power Dissipation Pd

41W

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Dual N

Standards/Approvals

AEC Q101, RoHS

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon dual n channel normal level MOSFET has same thermal and electrical performance as a DPAK with the same die size. It's exposed pad provides excellent thermal transfer. It is two n channel in one package with 2 isolated lead frames.

It is RoHS compliant and AEC Q101 qualified

It has 175°C operating temperature

relaterade länkar