Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 13 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, AUIRF AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 229-1742
- Tillv. art.nr:
- AUIRFR5410TRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
164,64 kr
(exkl. moms)
205,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 8 500 enhet(er) från den 23 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 32,928 kr | 164,64 kr |
| 25 - 45 | 28,986 kr | 144,93 kr |
| 50 - 120 | 27,328 kr | 136,64 kr |
| 125 - 245 | 25,356 kr | 126,78 kr |
| 250 + | 23,386 kr | 116,93 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 229-1742
- Tillv. art.nr:
- AUIRFR5410TRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 13A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | AUIRF | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 205mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 58nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.6V | |
| Maximal effektförlust Pd | 66W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 2.39mm | |
| Längd | 6.22mm | |
| Bredd | 6.73 mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie AUIRF | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 205mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 58nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.6V | ||
Maximal effektförlust Pd 66W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 2.39mm | ||
Längd 6.22mm | ||
Bredd 6.73 mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon p channel MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in automotive and a wide variety of other applications.
It is lead free
It is RoHS compliant
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal 13 A 100 V Förbättring TO-252, AUIRF AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 13 A 150 V Förbättring TO-252, AUIRF AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 13 A 150 V Förbättring TO-263, AUIRF AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 230 A 75 V TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 90 A 40 V Förbättring TO-252, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal -85 A -40 V Förbättring IPD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 17 A 100 V TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 35 A 100 V TO-252, AUIRFS AEC-Q101
