Infineon N Kanal, MOSFET, 35 A 100 V, 3 Ben, TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 244-2880
- Tillv. art.nr:
- AUIRFR540ZTRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 244-2880
- Tillv. art.nr:
- AUIRFR540ZTRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 35A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | AUIRFS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3mΩ | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 35A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie AUIRFS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3mΩ | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon AUIRFR540ZTRL är speciellt utformad för fordonstillämpningar, denna HEXFET® Power MOSFET använder de senaste bearbetningsteknikerna för att uppnå extremt låg påslagningsresistans per kiselarea. Ytterligare funktioner i denna design är en kopplingsdriftstemperatur på 175 °C, snabb omkopplingshastighet och förbättrad repetitiv avalanche-klassning. Dessa funktioner kombinerar för att göra denna design till en extremt effektiv och tillförlitlig enhet för användning i fordonstillämpningar och en mängd andra tillämpningar.
Avancerad processteknik
Ultralåg påslagningsresistans
175 °C drifttemperatur
Snabbväxlande
Upprepad avalanche tillåten upp till Tjmax
Blyfri, RoHS-kompatibel
Godkänd för fordonsindustrin
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 100 V, 3 Ben, TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 43 A 60 V, 3 Ben, TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 200 V, 3 Ben, TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 59 A 55 V, 3 Ben, TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 100 V, 3 Ben, TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 230 A 75 V, 3 Ben, TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 13 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, AUIRF AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 13 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, AUIRF AEC-Q101