Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 13 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, AUIRF AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 229-1741
- Tillv. art.nr:
- AUIRFR5410TRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
35 160,00 kr
(exkl. moms)
43 950,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 03 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 11,72 kr | 35 160,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 229-1741
- Tillv. art.nr:
- AUIRFR5410TRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 13A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | AUIRF | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 205mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 58nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 66W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 2.39mm | |
| Längd | 6.22mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie AUIRF | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 205mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 58nC | ||
Maximal effektförlust Pd 66W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 2.39mm | ||
Längd 6.22mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon p channel MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in automotive and a wide variety of other applications.
It is lead free
It is RoHS compliant
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal 13 A 100 V Förbättring TO-252, AUIRF AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 13 A 150 V Förbättring TO-252, AUIRF AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 13 A 150 V Förbättring TO-263, AUIRF AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 230 A 75 V TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 90 A 40 V Förbättring TO-252, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal -85 A -40 V Förbättring IPD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 17 A 100 V TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 24 A 200 V TO-252, AUIRFS AEC-Q101
