Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 113 A, 45 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR450DP-T1-RE3

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

96,21 kr

(exkl. moms)

120,26 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 5 880 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4519,242 kr96,21 kr
50 - 24518,10 kr90,50 kr
250 - 49516,352 kr81,76 kr
500 - 124515,412 kr77,06 kr
1250 +14,426 kr72,13 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
228-2899
Tillv. art.nr:
SiR450DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

113A

Maximum Drain Source Voltage Vds

45V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

48W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

75.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-channel is 45 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

relaterade länkar