Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 113 A 45 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

70,56 kr

(exkl. moms)

88,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 5 995 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4514,112 kr70,56 kr
50 - 12012,678 kr63,39 kr
125 - 24510,596 kr52,98 kr
250 - 4959,856 kr49,28 kr
500 +6,496 kr32,48 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
228-2887
Tillv. art.nr:
SiJ450DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

113A

Maximal källspänning för dränering Vds

45V

Serie

TrenchFET

Kapseltyp

SO-8

Fästetyp

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

1.9mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

75.5nC

Maximal effektförlust Pd

48W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Vishay TrenchFET N-channel is 45 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Relaterade länkar