Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 113 A, 45 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SiJ450DP-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

70,56 kr

(exkl. moms)

88,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 5 995 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4514,112 kr70,56 kr
50 - 12012,678 kr63,39 kr
125 - 24510,596 kr52,98 kr
250 - 4959,856 kr49,28 kr
500 +6,496 kr32,48 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
228-2887
Tillv. art.nr:
SiJ450DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

113A

Maximum Drain Source Voltage Vds

45V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

75.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

48W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-channel is 45 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

relaterade länkar