Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 113 A 45 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 228-2886
- Tillv. art.nr:
- SiJ450DP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
15 963,00 kr
(exkl. moms)
19 953,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 17 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 5,321 kr | 15 963,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 228-2886
- Tillv. art.nr:
- SiJ450DP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 113A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 45V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 75.5nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 48W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 113A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 45V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 75.5nC | ||
Maximal effektförlust Pd 48W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay TrenchFET N-kanal är en 45 V MOSFET.
100 % Rg och UIS-testad
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 113 A 45 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 113 A 45 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 45 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 45.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 50 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 58 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET