Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 45 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET Gen IV
- RS-artikelnummer:
- 200-6843
- Tillv. art.nr:
- SIJ150DP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
297,15 kr
(exkl. moms)
371,45 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 28 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 11,886 kr | 297,15 kr |
| 125 - 225 | 11,294 kr | 282,35 kr |
| 250 - 600 | 10,107 kr | 252,68 kr |
| 625 - 1225 | 9,516 kr | 237,90 kr |
| 1250 + | 8,203 kr | 205,08 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 200-6843
- Tillv. art.nr:
- SIJ150DP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 45V | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 70nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 65.7W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 3.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 45V | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 70nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal effektförlust Pd 65.7W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 3.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Vishay SIJ150DP-T1-GE3 is a N-channel 45V (D-S) MOSFET.
TrenchFET Gen IV power MOSFET
Very low Qg and Qoss reduce power loss and improve efficiency
Flexible leads provide resilience to mechanical stress
100 % Rg and UIS tested
Qgd/Qgs ratio < 1 optimizes switching characteristics
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal 11 A 45 V Förbättring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Typ P Kanal 18.3 A 30 V Förbättring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Typ N Kanal 110 A 45 V Förbättring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Typ N Kanal 108 A 45 V Förbättring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay Typ N Kanal 100 A 40 V Förbättring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Typ N Kanal 81 A 100 V Förbättring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Typ N Kanal 65.8 A 100 V Förbättring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Typ N Kanal 92.5 A 60 V Förbättring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV