Vishay N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 787-9373
- Tillv. art.nr:
- SIRA06DP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (5 enheter, på ett band med 5)*
108,98 kr
(exkl. moms)
136,23 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 25 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 21,796 kr | 108,98 kr |
| 50 - 245 | 18,502 kr | 92,51 kr |
| 250 - 495 | 15,30 kr | 76,50 kr |
| 500 - 1245 | 14,358 kr | 71,79 kr |
| 1250 + | 13,53 kr | 67,65 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 787-9373
- Tillv. art.nr:
- SIRA06DP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 51nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -16, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.73V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 62.5W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 5.26mm | |
| Längd | 6.25mm | |
| Höjd | 1.12mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 51nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -16, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.73V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 62.5W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 5.26mm | ||
Längd 6.25mm | ||
Höjd 1.12mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 335 A 25 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 45.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 58 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 8.3 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 18.7 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 50 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET