Vishay E Type N-Channel MOSFET, 21 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 50 enheter)*

1 189,45 kr

(exkl. moms)

1 486,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 900 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per Rør*
50 - 5023,789 kr1 189,45 kr
100 - 20020,695 kr1 034,75 kr
250 +17,604 kr880,20 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
228-2846
Tillv. art.nr:
SIHB24N80AE-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

E

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

184mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

208W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

59nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

relaterade länkar