Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 8.3 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

80,42 kr

(exkl. moms)

100,52 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 4 820 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 908,042 kr80,42 kr
100 - 2407,235 kr72,35 kr
250 - 4905,936 kr59,36 kr
500 - 9905,23 kr52,30 kr
1000 +4,032 kr40,32 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
228-2819
Tillv. art.nr:
Si4056ADY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

8.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

SO-8

Serie

TrenchFET

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

29.2mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

5W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

19.2nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.75mm

Fordonsstandard

Nej

The Vishay TrenchFET Gen IV N-Channel power MOSFET is use for load switch, circuit protection and motor drive control.

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

Logic level gate drive

Relaterade länkar