Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 8.3 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 Si4056ADY-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

80,42 kr

(exkl. moms)

100,52 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 4 820 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 908,042 kr80,42 kr
100 - 2407,235 kr72,35 kr
250 - 4905,936 kr59,36 kr
500 - 9905,23 kr52,30 kr
1000 +4,032 kr40,32 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
228-2819
Tillv. art.nr:
Si4056ADY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

8.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

29.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19.2nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.75mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET Gen IV N-Channel power MOSFET is use for load switch, circuit protection and motor drive control.

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

Logic level gate drive

relaterade länkar