Vishay N Kanal, MOSFET, 335 A 25 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 228-2916
- Tillv. art.nr:
- SIRA20BDP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (5 enheter, i en förpackning med 5)*
153,33 kr
(exkl. moms)
191,66 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 980 enhet(er) från den 28 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 30,666 kr | 153,33 kr |
| 50 - 120 | 27,642 kr | 138,21 kr |
| 125 - 245 | 21,504 kr | 107,52 kr |
| 250 - 495 | 19,062 kr | 95,31 kr |
| 500 + | 17,494 kr | 87,47 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 228-2916
- Tillv. art.nr:
- SIRA20BDP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 335A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 25V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.58mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 104W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 124nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 335A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 25V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.58mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 104W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 124nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay TrenchFET N-kanal är en 25 V MOSFET.
100 % Rg och UIS-testad
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 335 A 25 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 45.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 58 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 8.3 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 18.7 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 50 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET