Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 299 A 80 V, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), N-Channel 80 V

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

57 168,00 kr

(exkl. moms)

71 460,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Håller på att utgå
  • Slutlig(a) 3 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +19,056 kr57 168,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
225-9920
Tillv. art.nr:
SIJH800E-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

299A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Serie

N-Channel 80 V

Kapseltyp

PowerPAK (8x8L)

Fästetyp

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

1.8mΩ

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

210nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

3.3W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

8.1mm

Höjd

8mm

Bredd

1.9 mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss

50 % smaller footprint than D2PAK (TO-263)

100 % Rg and UIS tested

Relaterade länkar