Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 315 A 40 V, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), N-Channel 40 V AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 225-9948
- Tillv. art.nr:
- SQJ138ELP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
154,67 kr
(exkl. moms)
193,34 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 15,467 kr | 154,67 kr |
| 100 - 240 | 14,661 kr | 146,61 kr |
| 250 - 490 | 12,387 kr | 123,87 kr |
| 500 - 990 | 11,603 kr | 116,03 kr |
| 1000 + | 10,819 kr | 108,19 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 225-9948
- Tillv. art.nr:
- SQJ138ELP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 315A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PowerPAK (8x8L) | |
| Serie | N-Channel 40 V | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.1Ω | |
| Maximal effektförlust Pd | 500W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 78nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Längd | 6.25mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 315A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PowerPAK (8x8L) | ||
Serie N-Channel 40 V | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.1Ω | ||
Maximal effektförlust Pd 500W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 78nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.1mm | ||
Längd 6.25mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Vishay Siliconix upprätthåller tillförlitlighetsdata för halvledarteknik och förpackningens tillförlitlighet representerar en sammansättning av alla kvalificerade platser.
AEC-Q101-godkänd
100 % Rg och UIS-testad
Tunn 1.6 mm-förpackning
Mycket låg termisk resistans
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 315 A 40 V, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), N-Channel 40 V AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 248 A 80 V, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), N-Channel 80 V AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 293 A 60 V, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 278 A 60 V, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 602 A 60 V, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 437 A 30 V, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), N-Channel 30 V AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 60 V Enkel, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 226 A 40 V, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), P-Channel 40 V AEC-Q101