Vishay N Kanal, MOSFET, 174 A 150 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), SIJH
- RS-artikelnummer:
- 268-8324
- Tillv. art.nr:
- SIJH5700E-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 268-8324
- Tillv. art.nr:
- SIJH5700E-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 174A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | PowerPAK (8x8L) | |
| Serie | SIJH | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0041Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 333W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 14nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 7.9mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 174A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp PowerPAK (8x8L) | ||
Serie SIJH | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0041Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 333W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 14nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 7.9mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishays N-kanal TrenchFET generation 5 Power MOSFET är en helt blyfri enhet. Den används i tillämpningar som synkron likriktering, motorstyrning, batterihantering.
Mycket låg siffra för meriter
RoHS-kompatibel
100-procentigt UIS-testat
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 174 A 150 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), SIJH
- Vishay N Kanal, MOSFET, 277 A 100 V Förbättring, 4 Ben, 8x8L, SIJH
- Vishay N Kanal, MOSFET, 225 A 100 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 437 A 60 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 37 A 60 V Avskrivningar, 4 Ben, PowerPAK (8x8L) AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 299 A 80 V, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), N-Channel 80 V
- Vishay N Kanal, MOSFET, 33.8 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 18 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SIS5712DN