Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 60 V Enkel, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 225-9950
- Tillv. art.nr:
- SQJ164ELP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
141,90 kr
(exkl. moms)
177,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 990 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 14,19 kr | 141,90 kr |
| 100 - 240 | 13,496 kr | 134,96 kr |
| 250 - 490 | 11,357 kr | 113,57 kr |
| 500 - 990 | 10,662 kr | 106,62 kr |
| 1000 + | 9,934 kr | 99,34 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 225-9950
- Tillv. art.nr:
- SQJ164ELP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 75A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | PowerPAK (8x8L) | |
| Serie | N-Channel 60 V | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 33mΩ | |
| Kanalläge | Enkel | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 187W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Längd | 90mm | |
| Höjd | 6.15mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 75A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp PowerPAK (8x8L) | ||
Serie N-Channel 60 V | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 33mΩ | ||
Kanalläge Enkel | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 187W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Längd 90mm | ||
Höjd 6.15mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Vishay Siliconix upprätthåller tillförlitlighetsdata för halvledarteknik och förpackningens tillförlitlighet representerar en sammansättning av alla kvalificerade platser.
AEC-Q101-godkänd
100 % Rg och UIS-testad
Tunn 1.6 mm-förpackning
Mycket låg termisk resistans
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 60 V Enkel, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 293 A 60 V, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 278 A 60 V, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 602 A 60 V, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 248 A 80 V, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), N-Channel 80 V AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 315 A 40 V, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), N-Channel 40 V AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 437 A 30 V, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), N-Channel 30 V AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 280 A 30 V, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), P-Channel 30 V AEC-Q101