Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, IPS70R

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

60,38 kr

(exkl. moms)

75,48 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 460 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 803,019 kr60,38 kr
100 - 1802,929 kr58,58 kr
200 - 4802,856 kr57,12 kr
500 - 9802,783 kr55,66 kr
1000 +2,716 kr54,32 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
222-4934
Tillv. art.nr:
IPS70R600P7SAKMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

8.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

700V

Kapseltyp

TO-251

Serie

IPS70R

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

600mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

43.1W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

16 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

10.5nC

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

2.4 mm

Höjd

6.22mm

Längd

6.73mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon developed to serve today’s and especially tomorrow’s trends in flyback topologies – the new 700V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET series addresses the low power SMPS market, such as mobile phone chargers or notebook adapters by offering fundamental performance gains compared to superjunction technologies used today. By combining customers’ feedback with over 20 years of superjunction MOSFET experience, 700V

Allowing high speed switching

Integrated protection Zener diode

Optimized V (GS)th of 3V with very narrow tolerance of ±0.5V

Finely graduated portfolio

Relaterade länkar