Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 150 A, 20 V Enhancement, 2-Pin DirectFET IRF6620TRPBF

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

136,01 kr

(exkl. moms)

170,01 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 13 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 4013,601 kr136,01 kr
50 - 9012,914 kr129,14 kr
100 - 24011,614 kr116,14 kr
250 - 49010,45 kr104,50 kr
500 +9,946 kr99,46 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
222-4737
Tillv. art.nr:
IRF6620TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

150A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

DirectFET

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

2

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

89W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Length

6.35mm

Standards/Approvals

No

Width

5.05 mm

Height

0.68mm

Automotive Standard

No

The Infineon design of HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced Direct FETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapour phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes.

100% Rg tested Low Conduction and Switching Losses

Ultra Low Package Inductance Ideal for CPU Core DC-DC Converters

relaterade länkar