Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 150 A 20 V Förbättring, 2 Ben, DirectFET, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 4800 enheter)*

31 396,80 kr

(exkl. moms)

39 244,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 16 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
4800 +6,541 kr31 396,80 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
222-4736
Tillv. art.nr:
IRF6620TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

150A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

DirectFET

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

2

Maximal drain-källresistans Rds

3.6mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

28nC

Maximal effektförlust Pd

89W

Framåtriktad spänning Vf

1V

Längd

6.35mm

Höjd

0.68mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon design of HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced Direct FETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapour phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes.

100% Rg tested Low Conduction and Switching Losses

Ultra Low Package Inductance Ideal for CPU Core DC-DC Converters

Relaterade länkar