Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 28 A, 150 V, 2-Pin DirectFET

Antal (1 rulle med 4800 enheter)*

38 275,20 kr

(exkl. moms)

47 846,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 11 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
4800 +7,974 kr38 275,20 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
218-3101
Tillv. art.nr:
IRF6775MTRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

28A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

HEXFET

Package Type

DirectFET

Mount Type

Surface

Pin Count

2

Maximum Drain Source Resistance Rds

56mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

89W

Forward Voltage Vf

1.3V

Standards/Approvals

No

Height

0.68mm

Width

3.95 mm

Length

4.85mm

Automotive Standard

No

The Infineon 150V Single N-channel HEXFET power MOSFET. This Digital Audio MOSFET is specifically designed for Class-D audio amplifier applications. This MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. The lower inductance improves EMI performance by reducing the voltage ringing that accompanies fast current transients.

Latest MOSFET Silicon technology

Dual sided cooling compatible

Compatible with existing surface mount technologies

Lead-Free

relaterade länkar