Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 222-4664
- Tillv. art.nr:
- IPD30N06S215ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
96,32 kr
(exkl. moms)
120,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 2 410 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 9,632 kr | 96,32 kr |
| 100 - 240 | 9,162 kr | 91,62 kr |
| 250 - 490 | 8,758 kr | 87,58 kr |
| 500 - 990 | 8,389 kr | 83,89 kr |
| 1000 + | 7,806 kr | 78,06 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4664
- Tillv. art.nr:
- IPD30N06S215ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 30A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 14.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 41nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 136W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Bredd | 6.22 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.5mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie OptiMOS | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 14.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 41nC | ||
Maximal effektförlust Pd 136W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 2.3mm | ||
Bredd 6.22 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.5mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon design of MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.
Green Product (RoHS compliant)
MSL1 up to 260°C peak reflow AEC Q101 qualified
OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 30 A 55 V Förbättring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 17 A 55 V Förbättring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 19 A 55 V Förbättring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 50 A 55 V Förbättring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 30 A 75 V Förbättring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 50 A 60 V Förbättring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 90 A 30 V Förbättring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 90 A 60 V Förbättring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
