Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

96,32 kr

(exkl. moms)

120,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 410 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 909,632 kr96,32 kr
100 - 2409,162 kr91,62 kr
250 - 4908,758 kr87,58 kr
500 - 9908,389 kr83,89 kr
1000 +7,806 kr78,06 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
222-4664
Tillv. art.nr:
IPD30N06S215ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

30A

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Kapseltyp

TO-252

Serie

OptiMOS

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

14.7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

41nC

Maximal effektförlust Pd

136W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

2.3mm

Bredd

6.22 mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.5mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon design of MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Green Product (RoHS compliant)

MSL1 up to 260°C peak reflow AEC Q101 qualified

OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications

Relaterade länkar