Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
RS-artikelnummer:
222-4663
Tillv. art.nr:
IPD30N06S215ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

30A

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Kapseltyp

TO-252

Serie

OptiMOS

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

14.7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

136W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

41nC

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

2.3mm

Bredd

6.22 mm

Längd

6.5mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon design of MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Green Product (RoHS compliant)

MSL1 up to 260°C peak reflow AEC Q101 qualified

OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications

Relaterade länkar