Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 31.2 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB65R110CFDAATMA1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

131,51 kr

(exkl. moms)

164,388 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 865,755 kr131,51 kr
10 - 1857,85 kr115,70 kr
20 - 4854,60 kr109,20 kr
50 - 9850,625 kr101,25 kr
100 +46,705 kr93,41 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
222-4656
Tillv. art.nr:
IPB65R110CFDAATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

31.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

CoolMOS

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

110mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 600V Cool MOS™ C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The 600V C7 is the first technology ever with RDS(on)*A below 1Ohm*mm².

Ultra fast body diode

relaterade länkar