Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31.2 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

118,05 kr

(exkl. moms)

147,562 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 859,025 kr118,05 kr
10 - 1851,97 kr103,94 kr
20 - 4849,00 kr98,00 kr
50 - 9845,415 kr90,83 kr
100 +41,89 kr83,78 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
222-4656
Tillv. art.nr:
IPB65R110CFDAATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

31.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Serie

CoolMOS

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

110mΩ

Kanalläge

Förbättring

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon design of Cool MOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 600V Cool MOS™ C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The 600V C7 is the first technology ever with RDS(on)*A below 1Ohm*mm².

Ultra fast body diode

Relaterade länkar