Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31.2 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 222-4655
- Tillv. art.nr:
- IPB65R110CFDAATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
24 407,00 kr
(exkl. moms)
30 509,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 24,407 kr | 24 407,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4655
- Tillv. art.nr:
- IPB65R110CFDAATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 31.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 110mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 31.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie CoolMOS | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 110mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon design of Cool MOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 600V Cool MOS™ C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The 600V C7 is the first technology ever with RDS(on)*A below 1Ohm*mm².
Ultra fast body diode
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31.2 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31.2 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 23.8 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 151 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 57.2 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS P7