Infineon N Kanal, MOSFET, 31.2 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 222-4707
- Tillv. art.nr:
- IPP65R110CFDAAKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
149,41 kr
(exkl. moms)
186,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 23 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 74,705 kr | 149,41 kr |
| 10 - 18 | 69,44 kr | 138,88 kr |
| 20 - 48 | 67,65 kr | 135,30 kr |
| 50 - 98 | 65,855 kr | 131,71 kr |
| 100 + | 64,23 kr | 128,46 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4707
- Tillv. art.nr:
- IPP65R110CFDAAKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 31.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 110mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 110nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 277.8W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 4.57mm | |
| Längd | 10.36mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 15.95mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 31.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 110mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 110nC | ||
Maximal effektförlust Pd 277.8W | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 4.57mm | ||
Längd 10.36mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 15.95mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons MOSFET-transistorer, även kända som MOSFET-transistorer, står för ”metalloxidhalvledartransistorer med fälteffekt”. MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar genom källan till avtappningsterminalerna.
Blyfri plätering; RoHS-kompatibel
Överlägsen värmebeständighet 100 % avalanche-testad
Halogenfri enligt IEC61249-2-23
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 31.2 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 31.2 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 22.4 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS CFDA AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 37.9 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 19 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS