Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 30 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
RS-artikelnummer:
220-7403
Tillv. art.nr:
IPD30N06S4L23ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET och diod

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

30A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

TO-252

Serie

OptiMOS

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

23mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

16 V

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal effektförlust Pd

36W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

16.1nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

2.41mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

6.22 mm

Längd

6.73mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon offers a wide range of 55V-60V N-channel automotive qualified power MOSFETs using the new OptiMOS technology in a variety of packages and ranging RDS(on) from 1.5mΩ up to 160mΩThe new 60V automotive MOSFET family with OptiMOS5 technology delivers more power and leading performance. OptiMOS 5 provides reduced conduction losses optimized for drives and power conversion applications. The smaller leadless packages SSO8 (5x6mm2) and S3O8(3x3mm2) enable space savings by more than 50% compared to the area of a DPAK.

N-channel - Enhancement mode

AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Green Product (RoHS compliant)

100% Avalanche tested

world's lowest RDS at 60V (on)

highest current capability

lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency

robust packages with superior quality and reliability

Optimized total gate charge enables smaller driver output stages

Relaterade länkar