Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 145 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 220-7391
- Tillv. art.nr:
- IPB65R065C7ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
138,54 kr
(exkl. moms)
173,18 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 850 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 69,27 kr | 138,54 kr |
| 10 - 18 | 59,585 kr | 119,17 kr |
| 20 - 48 | 55,44 kr | 110,88 kr |
| 50 - 98 | 52,025 kr | 104,05 kr |
| 100 + | 47,77 kr | 95,54 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7391
- Tillv. art.nr:
- IPB65R065C7ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 145A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 65mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 145A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie CoolMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 65mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon Cool MOS C7 super junction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds' lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.
650V voltage
Revolutionary best-in-class R DS(on)/package
Reduced energy stored in output capacitance (Eoss)
Lower gate charge Qg
Space saving through use of smaller packages or reduction of parts
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 145 A 700 V Förbättring TO-263, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 145 A 700 V Förbättring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 57.2 A 650 V Förbättring TO-263, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 151 A 650 V Förbättring TO-263, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 9.4 A 700 V Förbättring TO-251, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 5.7 A 700 V Förbättring TO-251, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 49 A 700 V Förbättring TO-252, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 15 A 900 V Förbättring TO-263, CoolMOS AEC-Q101
