Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 15 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 220-7396
- Tillv. art.nr:
- IPB90R340C3ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
20 350,00 kr
(exkl. moms)
25 440,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Leverans från den 30 december 2026
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 20,35 kr | 20 350,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7396
- Tillv. art.nr:
- IPB90R340C3ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 15A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 900V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 340mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 208W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 94nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 4.57mm | |
| Bredd | 9.45mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.31mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 15A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 900V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie CoolMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 340mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 208W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 94nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 4.57mm | ||
Bredd 9.45mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.31mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 15 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 145 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 57.2 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 151 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 60 A 600 V Förbättring, 7 Ben, TO-263-7, CoolMOS 8 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 162 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101
