Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 145 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C7
- RS-artikelnummer:
- 220-7459
- Tillv. art.nr:
- IPW65R065C7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
155,68 kr
(exkl. moms)
194,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 212 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 77,84 kr | 155,68 kr |
| 10 - 18 | 70,00 kr | 140,00 kr |
| 20 - 48 | 65,41 kr | 130,82 kr |
| 50 - 98 | 60,705 kr | 121,41 kr |
| 100 + | 56,73 kr | 113,46 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7459
- Tillv. art.nr:
- IPW65R065C7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 145A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 65mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal effektförlust Pd | 171W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 64nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Höjd | 21.1mm | |
| Längd | 16.13mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 145A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 65mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal effektförlust Pd 171W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 64nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Höjd 21.1mm | ||
Längd 16.13mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon Cool MOS C7 super junction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds' lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.
650V voltage
Revolutionary best-in-class R DS(on)/package
Reduced energy stored in output capacitance (Eoss)
Lower gate charge Qg
Space saving through use of smaller packages or reduction of parts
Improved safety margin and suitable for both SMPS and solar inverter applications
Lowest conduction losses/package
Low switching losses
Better light load efficiency
Increasing power density
Outstanding Cool MOS™ quality
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 145 A 700 V Förbättring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 75 A 700 V Förbättring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 13 A 700 V Förbättring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 46 A 700 V Förbättring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 46 A 700 V Förbättring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 49 A 700 V Förbättring TO-252, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 145 A 700 V Förbättring TO-263, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 18 A 650 V Förbättring TO-247, CoolMOS C7
