Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 105 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 5

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

29 434,00 kr

(exkl. moms)

36 792,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 27 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +29,434 kr29 434,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
220-7384
Tillv. art.nr:
IPB083N15N5LFATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET och diod

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

105A

Maximal källspänning för dränering Vds

150V

Serie

OptiMOS 5

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

8.3mΩ

Kanalläge

Förbättring

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon OptiMOS Linear FET is a revolutionary approach to avoid the trade-off between on-state resistance (R DS(on)) and linear mode capability – operation in the saturation region of an enhanced mode MOSFET. It offers the state-of-the-art R DS(on) of a trench MOSFET together with the wide safe operating area of a classic planar MOSFET.

Combination of low R DS(on) and wide safe operating area (SOA)

High max. pulse current

High continuous pulse current

Rugged linear mode operation

Low conduction losses

Higher in-rush current enabled for faster start-up and shorter down time

Relaterade länkar