Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 170 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 5

RS-artikelnummer:: 220-7379
Tillv. art.nr:: IPB033N10N5LFATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 170 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 5

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

24 878,00 kr

(exkl. moms)

31 098,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

1 000 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
1000 +	24,878 kr	24 878,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 220-7379
Tillv. art.nr:: IPB033N10N5LFATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET och diod
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	170A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Kapseltyp	TO-263
	Serie	OptiMOS 5
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	3.3mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal effektförlust Pd	179W
	Maximal arbetstemperatur	+150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET och diod
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 170A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Kapseltyp TO-263
	Serie OptiMOS 5
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 3.3mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal effektförlust Pd 179W
	Maximal arbetstemperatur +150°C
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IPB033N10N5LFATMA1

Infineon OptiMOS 5-serien MOSFET och diod, 100 V maximal drain-källspänning, 170 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPB033N10N5LFATMA1

Denna MOSFET och diod är en ytmonterad strömförsörjningsenhet avsedd för högströmsomkoppling i krävande termiska miljöer. Den kombinerar en N-kanalförstärkningsenhet med en integrerad diod i en TO-263-kapsel, vilket ger en kompakt lösning för strömomvandlings- och omkopplingsuppgifter över ett brett temperaturområde.

Funktioner och fördelar:

• 100 V-klassning möjliggör drift i medelspänningssystem
• 3,3 mΩ RDS(on) minskar ledningsförluster vid hög belastning
• 170 A kontinuerlig dräneringsström stöder tillämpningar med hög ström
• 179 W effektförlust möjliggör kontinuerlig drift med hög effekt
• 1,2 V framåtriktad diodspänning minimerar omkopplingsförluster
• 20 V gate-tolerans möjliggör flexibla gate-drivspänningar

Användningsområden

• Lämplig för primäromkoppling av serverströmförsörjning
• Idealisk för synkronlikriktelse i omvandlare
• Används för halvbryggsteg för motordrivning
• Kan användas för batterihanteringsvägar med hög strömstyrka
• Används med DC/DC-omvandlare som kräver låg ledningsförlust

Vilket omgivningstemperaturområde kan den hantera under drift?

Den är specifik för drift från -55 °C upp till +150 °C.

Vilken förpackning och monteringsstil bör designers planera för?

Den levereras i en TO-263-kapsel avsedd för ytmontering på kretskortsmonteringar.

Hur passar enheten till värmekonstruktioner med hög ström?

Kombinationen av en kontinuerlig strömstyrka på 170 A och maximal avledningsförlust på 179 W möjliggör användning i konstruktioner där betydande värme måste hanteras genom kopparplattor och termiska dynor.

Vilka begränsningar för grinddrivning måste observeras?

Gate-källspänningen får inte överstiga 20 V för att förbli inom säkra driftsgränser.

Vilka ledningsegenskaper påverkar beräkningarna av effektförlust?

Det låga drain-source-motståndet på 3,3 mΩ är nyckelparametern för att uppskatta ledningsförluster vid driftström.