Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 170 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 5

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

24 878,00 kr

(exkl. moms)

31 098,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +24,878 kr24 878,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
220-7379
Tillv. art.nr:
IPB033N10N5LFATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET och diod

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

170A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-263

Serie

OptiMOS 5

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

3.3mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

179W

Maximal arbetstemperatur

+150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineon OptiMOS linjär FET är ett revolutionerande tillvägagångssätt för att undvika kompromissen mellan på-motstånd (R DS(on)) och linjär lägeskapacitet – drift i mättnadsområdet för en förstärkt läges-MOSFET. Den erbjuder den toppmoderna R DS(on) för en trench-MOSFET tillsammans med det breda säkra arbetsområdet för en klassisk planär MOSFET.

Kombination av låg R DS(on) och brett säkert arbetsområde (SOA)

Hög max. pulsström

Hög kontinuerlig pulsström

Robust linjär drift

Låga ledningsförluster

Högre startström aktiverad för snabbare start och kortare driftstopp

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.