Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

136,64 kr

(exkl. moms)

170,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 865 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 527,328 kr136,64 kr
10 - 9525,02 kr125,10 kr
100 - 24523,116 kr115,58 kr
250 - 49521,414 kr107,07 kr
500 +20,876 kr104,38 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
220-7383
Tillv. art.nr:
IPB065N10N3GATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET och diod

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

80A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-263

Serie

OptiMOS 3

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

6.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 100V OptiMOS power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and figure of merit.

Excellent switching performance

World’s lowest R DS(on)

Very low Q g and Q gd

Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

Environmentally friendly

Increased efficiency

Highest power density

Less paralleling required

Smallest board-space consumption

Easy-to-design products

Relaterade länkar