Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 180 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- RS-artikelnummer:
- 220-7375
- Tillv. art.nr:
- IPB019N08N3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
27 552,00 kr
(exkl. moms)
34 440,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 21 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 27,552 kr | 27 552,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7375
- Tillv. art.nr:
- IPB019N08N3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 180A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon OptiMOS is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle).
Optimized technology for DC-DC converters
Excellent gate charge x R DS(ON) product (FOM)
Superior thermal resistance
Dual sided cooling
Low parasitic inductance
Low profile (<0,7mm)
N-channel, normal level
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 180 A 40 V Förbättring TO-263, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal 180 A 60 V Förbättring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal 180 A 40 V Förbättring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal 180 A 120 V Förbättring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal 80 A 100 V Förbättring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal 12 A 40 V Förbättring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal 70 A 120 V Förbättring TO-263, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 170 A 100 V Förbättring TO-263, OptiMOS 5
