Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 180 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

27 552,00 kr

(exkl. moms)

34 440,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 21 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +27,552 kr27 552,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
220-7375
Tillv. art.nr:
IPB019N08N3GATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET och diod

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

180A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Serie

OptiMOS 3

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.9mΩ

Kanalläge

Förbättring

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon OptiMOS is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle).

Optimized technology for DC-DC converters

Excellent gate charge x R DS(ON) product (FOM)

Superior thermal resistance

Dual sided cooling

Low parasitic inductance

Low profile (<0,7mm)

N-channel, normal level

Relaterade länkar