Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 3

RS-artikelnummer:: 145-9552
Tillv. art.nr:: IPB011N04NGATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 3

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

18 278,00 kr

(exkl. moms)

22 848,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 08 februari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
1000 +	18,278 kr	18 278,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 145-9552
Tillv. art.nr:: IPB011N04NGATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	180A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Serie	OptiMOS 3
	Kapseltyp	TO-263
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	7
	Maximal drain-källresistans Rds	1.1mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal effektförlust Pd	250W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	188nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Längd	10.31mm
	Höjd	4.57mm
	Bredd	9.45mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Serie OptiMOS 3
	Kapseltyp TO-263
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 7
	Maximal drain-källresistans Rds 1.1mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal effektförlust Pd 250W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 188nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Längd 10.31mm
	Höjd 4.57mm
	Bredd 9.45mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

RoHS-status: Inte relevant

COO (ursprungsland):: CN

Infineon OptiMOSTM 3-serien MOSFET, 180 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 250 W maximal effektförlust - IPB011N04NGATMA1

Denna MOSFET är optimerad för högpresterande tillämpningar inom elektriska och mekaniska sektorer. Den har en robust design och effektiv drift, vilket gör den lämplig för automationssystem. Med en maximal kontinuerlig dräneringsström på 180 A och en maximal dräneringskällspänning på 40 V ger den förbättrad effektivitet och tillförlitlighet i kretsprestanda.

Funktioner & fördelar

• Högströmshantering förbättrar systemets effektivitet och prestanda

• Låg Rds(on) minskar effektförlusten under drift

• Ytmonterad design möjliggör enkel integrering i kretskort

• Kan dissipera upp till 250 W, vilket tjänar en mängd olika tillämpningar

• Brett driftstemperaturområde säkerställer funktionalitet i olika miljöer - N-kanalkonfiguration ger förbättrade omkopplingsegenskaper

Användningsområden

• Används i motorstyrning och drivsystem

• Lämpligt för strömhantering inom industriell automation

• Används i DC-DC-omvandlare och växelriktare

• Används för belastningsomkoppling i strömfördelningssystem

• Tillämpligt i förnybara energisystem, t. ex. solväxelriktare

Vad är den maximala kontinuerliga dräneringsströmmen för denna enhet?

Enheten kan hantera upp till 180 A kontinuerlig dräneringsström, vilket gör den lämplig för tillämpningar med hög effekt.

Kan den användas vid höga temperaturer?

Ja, den har en maximal drifttemperatur på +175 °C, vilket möjliggör konsekvent prestanda under utmanande förhållanden.

Vilka är specifikationerna för grindströskelspänning?

Den maximala grindtröskelspänningen är 4 V, medan den lägsta är 2 V, vilket ger flexibilitet i driftskompatibilitet.

Vilken typ av montering stöder denna komponent?

Denna produkt är utformad för ytmontering, vilket underlättar enkel installation på olika kretskort.

Hur bidrar denna MOSFET till energieffektivitet?

Dess låga Rds(on)-värde på 1,1 mΩ minskar avsevärt effektförlusten, vilket förbättrar effektiviteten hos elektroniska system överlag.