Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

21 437,50 kr

(exkl. moms)

26 797,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +8,575 kr21 437,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
218-3054
Tillv. art.nr:
IPD90N10S4L06ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

90A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-252

Serie

OptiMOS-T2

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

6.6mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

75nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

16 V

Maximal effektförlust Pd

136W

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

6.73mm

Höjd

2.41mm

Bredd

6.22 mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS™-T2 series N-channel power MOSFET. It has low switching and conduction power losses for high thermal efficiency.

N-channel - Enhancement mode

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature