Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 600V CoolMOS P7

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

10 575,00 kr

(exkl. moms)

13 225,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 24 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +4,23 kr10 575,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
218-3050
Tillv. art.nr:
IPD60R280P7SAUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-252

Serie

600V CoolMOS P7

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

280mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

18nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal effektförlust Pd

53W

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

6.22 mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.73mm

Höjd

2.41mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 600V CoolMOS™ P7 series N-channel power MOSFET. It has extremely low switching and conduction losses which makes switching applications even more efficient, more compact and much cooler.

Significant reduction of switching and conduction losses

Suitable for hard and soft switching

Relaterade länkar