Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 214-9053
- Tillv. art.nr:
- IPD80R750P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 15 enheter)*
205,635 kr
(exkl. moms)
257,04 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 415 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 13,709 kr | 205,64 kr |
| 75 - 135 | 13,029 kr | 195,44 kr |
| 150 - 360 | 12,753 kr | 191,30 kr |
| 375 - 735 | 11,924 kr | 178,86 kr |
| 750 + | 11,111 kr | 166,67 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-9053
- Tillv. art.nr:
- IPD80R750P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 750mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 51W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 2.41mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.73mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 750mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 51W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 2.41mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.73mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons senaste 800 V CoolMOS P7-serie sätter en ny riktmärke inom 800 V superkopplingsteknik och kombinerar klassens bästa prestanda med toppmodern användarvänlighet, vilket är resultatet av Infineons mer än 18 års pionjärerande innovation inom superkopplingsteknik. De är lätta att driva och parallellkoppla, vilket möjliggör design med högre effekttäthet, BOM-besparingar och lägre monteringskostnader. Dessa rekommenderas för hårda och mjuka fly back-switchtopologier för LED-belysning, laddare och adaptrar med låg effekt, ljud, AUX-ström och industriell ström.
Det levereras med helt optimerad portfölj
Integrerat ESD-skydd med Zenerdiod
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.9 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7