Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

17 097,50 kr

(exkl. moms)

21 372,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 10 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +6,839 kr17 097,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
218-3042
Tillv. art.nr:
IPD35N10S3L26ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

35A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

OptiMOS-T

Kapseltyp

TO-252

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

26mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

30nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

71W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

2.41mm

Bredd

6.22 mm

Längd

6.73mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS™-T series N-channel automotive MOSFET integrated with DPAK (TO-252) type package. It has low switching and conduction power losses.

N-channel - Enhancement mode

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Relaterade länkar