Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101

Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
RS-artikelnummer:
218-3032
Tillv. art.nr:
IPB120N06S4H1ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

120A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

OptiMOS-T2

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2mΩ

Kanalläge

Förbättring

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS™-T2 series N-channel power MOSFET. It has low switching and conduction power losses for high thermal efficiency.

N-channel - Enhancement mode

175°C operating temperature

100% Avalanche tested

Relaterade länkar