Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 19 A 200 V Förbättring, 7 Ben, DirectFET, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 215-2581
- Tillv. art.nr:
- IRF6785MTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
195,69 kr
(exkl. moms)
244,61 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 4 360 enhet(er) från den 13 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 + | 19,569 kr | 195,69 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-2581
- Tillv. art.nr:
- IRF6785MTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 19A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | DirectFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 100mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 36nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 57W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 19A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp DirectFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 100mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 57W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon HEXFET Power MOSFET has 200V maximum drain source voltage in a DirectFET MZ package rated at 19 amperes optimized with low on resistance. This Digital Audio MOSFET is specifically designed for Class-D audio amplifier applications. This MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. Furthermore, gate charge, body-diode reverse recovery and internal gate resistance are optimized to improve key Class-D audio amplifier performance factors such as efficiency, THD, and EMI. The IRF6785MPbF device utilizes DirectFETTM packaging technology. DirectFETTM packaging technology offers lower parasitic inductance and resistance when compared to conventional wire bonded SOIC packaging.
Latest MOSFET Silicon technology
Key parameters optimized for Class-D audio amplifier applications
Dual sided cooling compatible
Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow)
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 19 A 200 V Förbättring DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 375 A 60 V Förbättring DirectFET HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 55 A 80 V Förbättring DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 68 A 60 V Förbättring DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 21 A 60 V Förbättring DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 81 A 20 V Förbättring DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 150 A 20 V Förbättring DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 86 A 60 V Förbättring MN HEXFET