Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, 700V CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 215-2526
- Tillv. art.nr:
- IPN70R360P7SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
151,66 kr
(exkl. moms)
189,58 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 4 240 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 7,583 kr | 151,66 kr |
| 100 - 180 | 7,202 kr | 144,04 kr |
| 200 - 480 | 6,894 kr | 137,88 kr |
| 500 - 980 | 6,591 kr | 131,82 kr |
| 1000 + | 6,143 kr | 122,86 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-2526
- Tillv. art.nr:
- IPN70R360P7SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 12.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Serie | 700V CoolMOS P7 | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 360mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 7.2W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 16.4nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Serie 700V CoolMOS P7 | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 360mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 7.2W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 16.4nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon 700V Cool MOS™ P7 super junction MOSFET series addresses the low power SMPS market, such as mobile phone chargers or notebook adapters by offering fundamental performance gains compared to super junction technologies used today. The technology meets highest efficiency standards and supports high power density, enabling customers going towards very slim designs. The latest CoolMOS™P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc.
Extremely low losses due to very low FOMRDS(on)*Qg and RDS(on)*Eoss
Excellent thermal behaviour
Integrated ESD protection diode
Low switching losses (Eoss)
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 12.5 A 700 V Förbättring SOT-223, 700V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 6 A 700 V Förbättring SOT-223, 700V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 12.5 A 700 V Förbättring IPAK, 700V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 12.5 A 700 V Förbättring TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 12.5 A 700 V Förbättring TO-252, 700V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 6.5 A 700 V Förbättring TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 8.5 A 700 V Förbättring TO-252, 700V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 6 A 700 V Förbättring TO-220, 700V CoolMOS P7