Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, 700V CoolMOS P7

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
215-2527
Tillv. art.nr:
IPN70R900P7SATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6A

Maximal källspänning för dränering Vds

700V

Serie

700V CoolMOS P7

Kapseltyp

SOT-223

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

900mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

6.5W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6.8nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineons 700 V Cool MOSTM P7 superkopplings-MOSFET-serie tar upp SMPS-marknaden med låg strömförbrukning, t. ex. laddare för mobiltelefoner eller bärbara datorer, genom att erbjuda grundläggande prestandavökningar jämfört med superkopplingstekniker som används idag. Tekniken uppfyller de högsta effektivitetsstandarderna och stöder hög effekttäthet, vilket gör det möjligt för kunder att gå mot mycket smala konstruktioner. Den senaste CoolMOSTMP7 är en optimerad plattform skräddarsydd för kostnadskänsliga tillämpningar på konsumentmarknader som laddare, adapter, belysning, TV, etc.

Extremt låga förluster tack vare mycket låga FOMRDS(on)*Qg och RDS(on)*Eoss

Utmärkt termiskt beteende

Integrerad ESD-skyddsdiod

Låga omkopplingsförluster (Eoss)

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.