Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 800V CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 215-2516
- Tillv. art.nr:
- IPD80R2K4P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
144,38 kr
(exkl. moms)
180,48 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 2 140 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 7,219 kr | 144,38 kr |
| 100 - 180 | 6,86 kr | 137,20 kr |
| 200 - 480 | 6,563 kr | 131,26 kr |
| 500 - 980 | 6,278 kr | 125,56 kr |
| 1000 + | 5,051 kr | 101,02 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-2516
- Tillv. art.nr:
- IPD80R2K4P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | 800V CoolMOS P7 | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.4Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 22W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie 800V CoolMOS P7 | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.4Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 22W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon 800V Cool MOS™ P7 super junction MOSFET series is a perfect fit for low power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio. It mainly focuses on fly back applications including adapter and charger, LED driver, audio SMPS, AUX and industrial power. This new product family offers up to 0.6% efficiency gain and 2°C to 8°C lower MOSFET temperature compared to its predecessor as well as to competitor parts tested in typical fly back applications. It also enables higher power density designs through lower switching losses and better DPAK RDS(on) products.
Integrated Zener diode ESD protection up to Class 2 (HBM)
Best-in-class quality and reliability
Fully optimized portfolio
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 2.5 A 800 V Förbättring TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 3 A 800 V Förbättring TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 6 A 800 V Förbättring TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 6 A 800 V Förbättring TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 17 A 800 V Förbättring TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 4 A 800 V Förbättring SOT-223, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 11 A 800 V Förbättring TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon 4 A 800 V PG-TO251-3, 800V CoolMOS P7