Infineon, MOSFET, 4 A 800 V, 3 Ben, PG-TO251-3, 800V CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 273-7471
- Tillv. art.nr:
- IPU80R1K4P7AKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
72,58 kr
(exkl. moms)
90,725 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 495 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 14,516 kr | 72,58 kr |
| 10 - 20 | 11,804 kr | 59,02 kr |
| 25 - 45 | 11,558 kr | 57,79 kr |
| 50 - 95 | 11,29 kr | 56,45 kr |
| 100 + | 9,364 kr | 46,82 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-7471
- Tillv. art.nr:
- IPU80R1K4P7AKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | PG-TO251-3 | |
| Serie | 800V CoolMOS P7 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4mΩ | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 32W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC for Industrial Applications, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp PG-TO251-3 | ||
Serie 800V CoolMOS P7 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4mΩ | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximal effektförlust Pd 32W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC for Industrial Applications, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET har bättre produktionsutbyte genom att minska ESD-relaterade fel. Denna MOSFET har färre produktionsproblem och minskad fältåtergivning och är lätt att välja rätt delar för finjustering av konstruktioner. Det möjliggör design med högre effekttäthet, BOM-besparingar och lägre monteringskostnader.
Helt optimerad portfölj
Klassens bästa prestanda
Enkel att köra och parallellt
Integrerat ESD-skydd med zenerdiod
Relaterade länkar
- Infineon, MOSFET, 4 A 800 V, 3 Ben, PG-TO251-3, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 800 V, 3 Ben, TO-247, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4.5 A 800 V, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, 800V CoolMOS P7