Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 25 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD25N06S4L30ATMA2

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

109,48 kr

(exkl. moms)

136,84 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 7 260 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 +5,474 kr109,48 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-2504
Tillv. art.nr:
IPD25N06S4L30ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

OptiMOS-T2

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

300mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

29W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16.3nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS®-T2 Power-Transistor has 60V maximum drain source voltage, N-Ch, Automotive MOSFET, with DPAK(TO-252) package type.

N-channel - Enhancement mode

AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Green Product (RoHS compliant)

100% Avalanche tested

relaterade länkar