Infineon N Kanal, MOSFET, 25 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2

Denna MOSFET är en strömomkopplande transistor som är utformad för ytmonteringstillämpningar där robust strömhantering och ett brett temperaturområde krävs. Den fungerar som en N-kanal-enhet med förstärkningsläge och är lämplig för kretsar som behöver kontrollerad ledning mellan drain och källa under tillämpad grinddrivning. Komponenten levereras i en TO-252-kapsel för kretskortsmontering och rymmer typiska grinddrivningsspänningar som används i diskreta effektsteg.

• 60 V avtappningsspänning möjliggör användning av system med medelhög spänning
• 25 A kontinuerlig ström med stöd för omkoppling vid hög belastning
• Maximal Rds(on) på 300 mΩ minskar ledningsförlusterna
• Maximal effektförlust på 29 W hanterar värmestress
• 16,3 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare växling
• ±20 V grindspänningsklassning tolererar vanliga grindförskjutningar

• Lämpligt för omkopplingssteg för DC-DC-omvandlare
• Idealisk för synkron likriktering i strömförsörjningar
• Används med halvbryggskonfigurationer med motordrivning
• Kan användas för omkopplingselement för batterihantering
• Lämplig för generell omkoppling av strömförsörjning med låg spänning

Den fungerar i ett brett intervall från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i svåra termiska miljöer.

En typisk grindladdning på 16,3 nC bestämmer den drivenergi som krävs och påverkar växlingshastigheten och drivstorleken för effektiva övergångar.

Ytmonteringspaketet TO-252 kräver tillräcklig yta med kopparplatta och termiska ledningar på kretskortet för att sprida värme och uppfylla 29 W avledningsförmåga.

Enheten accepterar grindspänningar på upp till ±20 V, vilket ställer in den maximala tillåtna drivningen för att undvika grindöverspänning.